时间：2025/6/16 16:54:44
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IPD5N25S3-430是一种高性能的MOSFET功率晶体管，采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。该器件适用于高频开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等应用领域。其封装形式为TO-220，适合表面贴装和通孔安装。
最大漏源电压：250V
连续漏极电流：5A
导通电阻：0.18Ω
栅极电荷：17nC
开关频率：高达500kHz
结温范围：-55℃至+150℃
IPD5N25S3-430采用了最新的硅技术以降低导通损耗和开关损耗。它具有以下特点：
1. 极低的导通电阻，可显著提高系统效率。
2. 高速开关能力，适用于高频应用。
3. 内置过温保护功能，增强了器件的可靠性。
4. 良好的热性能，确保在高温环境下的稳定运行。
5. 小型化封装设计，节省电路板空间。
该器件广泛应用于各种电力电子领域，包括但不限于：
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管。
2. DC-DC转换器中的同步整流管。
3. 电机驱动电路中的功率开关。
4. 充电器、逆变器和其他高效能电力转换设备。
5. 各种工业控制和消费类电子产品中的功率管理部分。
IRF540N
STP5NK50Z
FQP12N25
