IPD530N15N3G 时间：2025/6/6 11:09:11 阅读：5

IPD530N15N3G是一款高性能的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由Infineon Technologies生产。该器件属于OptiMOS系列，采用了先进的沟槽式技术，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。这种MOSFET适用于各种电源管理应用，例如DC-DC转换器、电机驱动器和负载开关等。其封装形式为PG-TRENCHMOS3，能够满足高效能和紧凑设计的需求。
　　这款器件的主要特点在于其优化的动态和静态特性，使其在高频开关应用中表现出色。同时，由于其较低的栅极电荷和输出电荷，IPD530N15N3G能够实现高效的功率转换，并降低整体系统能耗。

参数

型号：IPD530N15N3G
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　封装：PG-TRENCHMOS3 (TO-Leadless)
　　Vds（漏源电压）：150V
　　Rds(on)（导通电阻，典型值）：5.3mΩ
　　Id（连续漏电流）：530A
　　Qg（总栅极电荷）：62nC
　　EAS（雪崩能量）：34.7mJ
　　Vgs（栅源电压）：±20V
　　Tj（结温范围）：-55°C至175°C

特性

IPD530N15N3G具备以下显著特性：
　　1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少传导损耗，提高效率。
　　2. 高额定电流能力（530A），支持大功率应用。
　　3. 快速开关性能，得益于低栅极电荷和输出电荷，适合高频电路。
　　4. 增强的热稳定性，能够在较高温度范围内可靠运行。
　　5. 强大的雪崩能力，提高了器件在异常条件下的耐用性。
　　6. 小型化的无引脚封装设计，节省了PCB空间并改善了散热性能。
　　这些特性使得该MOSFET成为高效电源管理和功率转换的理想选择。

应用

IPD530N15N3G广泛应用于以下领域：
　　1. 工业设备中的电机驱动器，如伺服驱动和变频器。
　　2. 太阳能逆变器和不间断电源（UPS）系统中的功率转换模块。
　　3. 数据中心和电信设备中的DC-DC转换器。
　　4. 电动汽车和混合动力汽车中的车载充电器和逆变器。
　　5. 各种类型的负载开关和保护电路。
　　由于其卓越的性能和可靠性，这款MOSFET特别适合需要高效率、高功率密度和高温稳定性的应用场景。