时间：2025/6/22 14:06:36
阅读：4
IPD530N15N3是一款高压功率MOSFET器件，采用N沟道增强型技术设计。该芯片主要适用于高效率电源转换、电机驱动、负载开关以及其他高压应用场合。
这款器件具有低导通电阻和快速开关性能，能够有效减少功率损耗并提升系统效率。其坚固的封装设计使其在恶劣环境条件下也能保持稳定运行。
最大漏源电压：150V
连续漏极电流：5.4A
导通电阻：300mΩ
栅极电荷：8nC
开关速度：快
封装类型：TO-263
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
IPD530N15N3具备以下显著特点：
1. 高耐压能力，适合高压应用场景；
2. 极低的导通电阻，有助于降低功耗并提高效率；
3. 快速开关特性，支持高频操作；
4. 优异的热性能，确保长时间稳定运行；
5. 强大的短路承受能力，提高系统的可靠性；
6. 小巧的封装尺寸，节省PCB空间。
该器件广泛应用于各类电力电子设备中，包括但不限于：
1. 开关电源（SMPS）和直流-直流转换器；
2. 电机驱动与控制电路；
3. 工业自动化中的负载切换和保护电路；
4. 电池管理系统中的充放电控制；
5. 汽车电子系统中的各种开关应用；
6. 家用电器及消费类电子产品中的功率管理模块。
IRF530N
STP5NK15Z
FDP5500
IXFN50N15T
AOT291G
