时间：2025/4/28 10:30:12
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IPD50R280CE 是一款由英飞凌（Infineon）生产的功率 MOSFET 芯片，采用 Trench 技术制造。该芯片属于 OptiMOS 系列，具有低导通电阻、高效率和优异的开关性能，适用于各种功率转换应用。其封装形式为 PQFN3x3-16L 封装，能够有效降低寄生电感，提升系统可靠性。
该器件特别适合于需要高效能和小尺寸解决方案的应用场景，例如 DC-DC 转换器、负载点电源 (POL) 和电池管理系统 (BMS)。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：54A
导通电阻（典型值）：2.8mΩ
栅极电荷（典型值）：9nC
开关速度：快速
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：PQFN3x3-16L
IPD50R280CE 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻，有助于减少导通损耗并提高整体效率。
2. 快速开关性能，可以实现高频操作，从而减小无源元件的体积和重量。
3. 高电流处理能力，支持高达 54A 的连续漏极电流。
4. 小型 PQFN3x3-16L 封装设计，有助于节省 PCB 空间。
5. 宽广的工作温度范围（-55℃ 至 +175℃），适应多种恶劣环境条件。
6. 内置 ESD 保护功能，增强系统的可靠性。
IPD50R280CE 广泛应用于以下领域：
1. 工业设备中的 DC-DC 转换器。
2. 笔记本电脑和服务器的负载点电源 (POL)。
3. 电池管理系统的充放电控制。
4. 汽车电子中的电机驱动和电源管理。
5. 高效节能的通信电源模块。
6. 各类便携式电子设备的电源管理单元。
IPD50R250CE
IPD40R280CE
BSC016N06NS3
