时间：2025/6/12 16:07:55
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IPD50P03P4L-11 是一款基于硅技术的功率 MOSFET，采用先进的沟槽式工艺制造。该器件适用于高频开关应用和高效能转换电路，能够提供较低的导通电阻和快速的开关性能。其封装形式为 LFPAK8 封装（也称为 SO8），具有低热阻特性和出色的电气性能，非常适合在消费电子、通信设备以及工业控制等领域中使用。
该功率 MOSFET 主要针对同步整流、DC-DC 转换器、负载开关以及其他需要高效率和小尺寸解决方案的应用而设计。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：50A
导通电阻（典型值）：0.65mΩ
栅极电荷（典型值）：25nC
总电容（输入电容）：960pF
反向恢复时间：无（因为是 MOSFET）
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
IPD50P03P4L-11 具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可减少导通损耗并提高整体效率。
2. 快速开关能力，适合高频操作环境。
3. 高电流处理能力，满足大功率需求。
4. 紧凑型封装设计，节省 PCB 布局空间。
5. 出色的热性能表现，确保长期稳定运行。
6. 符合 RoHS 标准，环保且可靠。
此外，由于采用了沟槽式 MOSFET 技术，这款器件能够在更小的芯片面积内实现更低的导通电阻，同时保持较低的开关损耗。
IPD50P03P4L-11 广泛应用于以下场景：
1. 同步整流电路中的主开关或续流二极管替代方案。
2. DC-DC 转换器的核心功率级组件。
3. 电机驱动器中的功率开关元件。
4. 多种负载开关应用场景，例如 USB-PD 和其他便携式设备。
5. 通信电源模块，如服务器和网络设备中的供电部分。
6. 工业自动化设备中的高效能转换电路。
这些应用领域共同特点是需要高性能、高效率以及紧凑的设计，而这正是 IPD50P03P4L-11 的强项所在。
IPB50P03P4L-02, IPP50P03P4L-02
