时间：2025/7/4 0:06:11
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IPD50N04S3-09 是一款 N 沟道功率 MOSFET，采用先进的沟槽技术制造。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于各种高效能电源转换和电机驱动应用。其封装形式为 TO-263（DPAK），具备出色的散热性能。
这款 MOSFET 的额定电压为 40V，适合低压系统中的功率管理任务。它在降低功耗、提高效率方面表现出色，是现代电力电子设计的理想选择。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：50A
导通电阻：7mΩ
栅极电荷：25nC
总电容：1250pF
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
封装：TO-263
IPD50N04S3-09 具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻，可减少传导损耗，提升系统效率。
2. 快速开关能力，能够支持高频操作，适应开关电源和 DC-DC 转换器的需求。
3. 高电流承载能力，确保在大负载条件下稳定运行。
4. 优秀的热性能，允许在高温环境下长期使用。
5. 高可靠性设计，符合严格的工业标准，适用于多种应用场景。
IPD50N04S3-09 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
3. 工业自动化设备的功率控制。
4. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统。
5. 汽车电子设备中的负载切换和电池保护。
6. 各类高效能电源管理系统。
IPB50N04S3-09, IRF540N
