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IPD50N03S4L-06 发布时间 时间:2025/5/12 20:41:10 查看 阅读:21

IPD50N03S4L-06是一款N沟道功率MOSFET,采用SuperSO8封装形式。该器件具有低导通电阻和快速开关速度的特点,适用于高效率的电源转换和电机驱动等应用。其额定电压为30V,持续电流能力为50A,适合在中低电压环境下工作。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:50A
  导通电阻(典型值):4mΩ
  栅极电荷:25nC
  开关时间:ton=11ns, toff=9ns
  结温范围:-55℃至+175℃

特性

IPD50N03S4L-06采用了先进的半导体制造工艺,具备以下显著特点:
  1. 极低的导通电阻,在高温条件下仍能保持高效性能。
  2. 快速的开关速度有效降低开关损耗,提升整体系统效率。
  3. 良好的热稳定性,能够在宽温度范围内可靠运行。
  4. 内置ESD保护功能,增强芯片抗静电能力。
  5. SuperSO8封装形式有助于提高散热性能,并且易于PCB布局设计。

应用

该MOSFET广泛应用于各种电力电子领域,包括但不限于:
  1. DC-DC转换器和降压/升压电路。
  2. 开关电源(SMPS)中的功率开关元件。
  3. 电机控制与驱动,例如无刷直流电机(BLDC)驱动。
  4. 工业自动化设备中的负载切换。
  5. 电池管理系统(BMS)中的保护电路。

替代型号

IPB50N03L-06, IPP50N03S4-06

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IPD50N03S4L-06参数

  • 制造商Infineon
  • 封装Reel
  • 零件号别名IPD50N03S4L06ATMA1 IPD50N03S4L06XT SP000415580