时间：2025/6/14 9:00:27
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IPD35N10S3L-26 是一款高性能的 N 沟道增强型功率 MOSFET，主要应用于需要高效率和低导通损耗的场景。该器件采用了先进的半导体制造工艺，具有较低的导通电阻和较高的开关速度。
其封装形式为 LFPAK88，能够提供出色的散热性能，并且支持表面贴装技术（SMT），便于自动化生产和紧凑型设计。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：35A
导通电阻：1.4mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
栅极电荷：79nC（典型值）
输入电容：2700pF（典型值）
总功耗：32W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
1. 超低导通电阻，有助于降低导通损耗，提升系统效率。
2. 高电流承载能力，适合大功率应用。
3. 快速开关特性，减少开关损耗。
4. 强大的热性能，适用于高功率密度的设计。
5. 符合 RoHS 标准，环保且可靠。
6. 支持表面贴装技术，简化生产流程并提高可靠性。
7. 工作温度范围广，适应各种恶劣环境。
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流。
2. 电机驱动和控制电路。
3. DC/DC 转换器。
4. 电池管理系统（BMS）。
5. 电信设备中的高效功率转换。
6. 工业自动化设备中的功率开关。
7. 汽车电子中的负载切换和保护。
IPD32N10S3L-26, IPD30N10S3L-26
