时间：2025/6/29 12:40:57
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IPD35CN10NG 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的功率器件，通常用于高效率、高频开关应用。它采用了先进的 GaN 场效应晶体管技术，能够在高频和高压环境下提供卓越的性能。此器件主要应用于电源转换、DC-DC 转换器、通信设备以及工业控制等领域。其设计目标是实现更低的导通电阻、更快的开关速度以及更高的功率密度。
GaN 器件相比传统硅基 MOSFET 具有更小的芯片尺寸和更低的寄生电容，从而能够显著提升系统效率并降低热量损耗。IPD35CN10NG 在封装上采用了紧凑型设计，便于集成到现代电子设备中。
型号：IPD35CN10NG
类型：增强型 GaN HEMT
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：8A
导通电阻：100mΩ（典型值）
栅极驱动电压：4.5V 至 6V
开关频率：高达 2MHz
结温范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-252(DPAK)
IPD35CN10NG 的核心特性包括：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，可有效降低传导损耗。
2. 高开关速度，支持高频工作场景，减少磁性元件体积。
3. 内置 ESD 保护功能，增强了器件在实际应用中的鲁棒性。
4. 小型化的封装，适合高功率密度设计需求。
5. 提供了良好的热性能表现，确保长时间稳定运行。
6. 采用增强型结构，具备更高的可靠性和一致性。
7. 与传统的硅基 MOSFET 相比，具有更低的栅极电荷 (Qg)，从而降低了驱动损耗。
IPD35CN10NG 广泛适用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和适配器设计。
2. DC-DC 转换器，尤其是高频软开关拓扑如 LLC 或谐振变换器。
3. 工业电机驱动及伺服控制器。
4. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关设备。
5. 数据中心服务器电源模块。
6. 通信基站中的高效电源解决方案。
7. 消费类电子产品中的快速充电器设计。
IPD35C100N, IPD35AN10NG
