时间：2025/12/24 1:26:37
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IPD30N10S3L-34 是一款基于硅材料的 N 沟道功率 MOSFET，采用 TO-263 封装形式。该器件具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适合用于直流-直流转换器、负载开关、电机驱动以及电池保护等应用领域。
该产品专为高效率功率转换设计，能够显著降低传导损耗，从而提升系统能效并减少散热需求。其卓越的电气性能和可靠性使其成为工业和消费类电子设备的理想选择。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：30A
导通电阻（典型值）：5.8mΩ
栅极电荷：25nC
开关时间：ton=17ns，toff=19ns
工作结温范围：-55℃至+175℃
IPD30N10S3L-34 具有以下主要特点：
1. 极低的导通电阻，有效减少功率损耗。
2. 快速开关能力，支持高频操作。
3. 高雪崩能量能力，增强在异常条件下的耐用性。
4. 较小的封装尺寸，节省印刷电路板空间。
5. 符合 RoHS 标准，环保且安全。
6. 支持表面贴装技术（SMT），便于自动化生产和装配。
此外，该器件的热性能优越，有助于在高电流和高温环境下保持稳定运行。
这款 MOSFET 广泛应用于各种电力电子系统中，包括但不限于以下场景：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关或同步整流元件。
2. 工业设备中的电机控制与驱动。
3. 电动汽车及混合动力汽车中的 DC-DC 转换器。
4. 消费电子产品中的负载切换和过流保护。
5. 太阳能逆变器中的功率调节模块。
由于其出色的电气特性和可靠性，IPD30N10S3L-34 在需要高效功率处理的应用场合表现出色。
IPW30N10S3L-34, IRF3710
