时间：2025/5/9 11:11:31
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IPD30N06S4L-23 是一款高性能的 N 沟道功率 MOSFET，采用 SuperSO8 封装形式。该器件专为高效率开关应用设计，具有较低的导通电阻和优秀的开关性能。其额定电压为 60V，最大持续漏极电流可达 30A，适用于各种工业和消费类电子设备中的电源管理场景。
该芯片广泛应用于 DC-DC 转换器、电机驱动、负载开关以及其他需要高效能量转换的场合。由于其卓越的热性能和小尺寸封装，IPD30N06S4L-23 成为紧凑型设计的理想选择。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：30A
导通电阻（典型值）：1.7mΩ
栅极电荷：29nC
输入电容：1520pF
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
IPD30N06S4L-23 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少传导损耗并提高系统效率。
2. 快速开关能力，支持高频操作，适合现代开关模式电源 (SMPS) 应用。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常条件下的耐用性。
4. 符合 RoHS 标准，环保且可靠。
5. 超小型 SuperSO8 封装，节省 PCB 空间，同时具备良好的散热性能。
6. 支持宽范围的工作温度，适应多种恶劣环境。
IPD30N06S4L-23 主要用于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS)，如适配器和充电器。
2. DC-DC 转换器，包括降压和升压拓扑。
3. 工业电机驱动和控制。
4. 汽车电子中的负载切换和保护电路。
5. 各种消费类电子产品中的负载开关功能。
6. 可再生能源系统，例如太阳能微逆变器。
IPB30N06S4L-02, IPP30N06S4L-02
