时间：2025/5/13 8:46:07
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IPD30N03S4L-14是一款高性能的MOSFET功率晶体管，属于Infineon Technologies推出的OptiMOS系列。该器件采用Trench技术制造，具备极低的导通电阻和出色的开关性能，广泛应用于各种需要高效功率转换的场合。其额定电压为30V，适用于低压系统中的DC-DC转换器、电机驱动、负载开关等应用。这款MOSFET采用了Power-SO8封装形式，具有紧凑的外形尺寸和良好的散热性能。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：27A
导通电阻（典型值）：2.6mΩ
栅极电荷：35nC
开关速度：快速开关
工作温度范围：-55℃至175℃
封装类型：Power-SO8
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够显著降低传导损耗，提高效率。
2. 快速开关性能，支持高频操作，减少开关损耗。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件的鲁棒性。
4. 优化的热性能设计，确保在高功率密度应用中的可靠性。
5. 符合RoHS标准，环保且适合现代电子产品的需求。
6. 良好的电磁兼容性（EMC），降低了对外部干扰的敏感度。
1. 开关电源（SMPS）和DC-DC转换器
2. 电机控制与驱动
3. 电池管理系统（BMS）
4. 汽车电子中的负载开关和保护电路
5. 工业自动化设备中的功率管理模块
6. LED驱动器和其他低压功率转换应用
IPD26N, IPB026N03L-14
