时间：2025/7/4 4:18:58
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IPD25N06S2-40是一款基于沟槽型场效应技术的MOSFET功率晶体管，适用于高效率、高频开关应用。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）和优化的开关性能，能够显著降低传导损耗和开关损耗。
其额定电压为60V，连续漏极电流高达25A（在25°C时），非常适合工业控制、电机驱动、DC-DC转换器以及各种电源管理应用。此外，IPD25N06S2-40采用了TO-220封装形式，具备良好的散热性能和易用性。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：25A
导通电阻（Rds(on)）：4.0mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
栅极电荷：23nC（典型值）
总电容：1750pF（典型值）
功耗：140W
工作温度范围：-55°C至+175°C
1. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗，提高系统效率。
2. 高速开关能力，支持高频应用，减少磁性元件体积。
3. 具备强大的雪崩能量承受能力，增强了器件的鲁棒性和可靠性。
4. 采用沟槽型MOSFET结构设计，确保了卓越的热稳定性和电气性能。
5. 宽工作温度范围，能够在极端条件下正常运行。
6. 封装形式为TO-220，便于集成到多种电路设计中。
1. 开关电源（SMPS）中的功率级开关。
2. DC-DC转换器中的同步整流或主开关。
3. 工业电机驱动和逆变器中的功率开关。
4. 电池管理系统中的负载切换开关。
5. 各种保护电路中的快速切换元件。
6. 照明设备中的调光及功率控制。
IPB25N06S2-40, IRFZ44N, FDP25N06
