时间：2025/6/19 1:51:19
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IPD25DP06LMATMA1 是一款基于绝缘体上硅 (SOI) 技术制造的双向 TVS（瞬态电压抑制器）二极管阵列，主要设计用于保护高速数据线和 I/O 端口免受静电放电 (ESD)、电气快速瞬变 (EFT) 和其他过压事件的影响。该器件具有低电容特性，非常适合高速信号线路的应用场景，例如 USB 2.0、HDMI、以太网等。
这款 TVS 二极管提供出色的钳位性能和低插入损耗，同时保持了较小的封装尺寸，使其成为高密度电路板设计的理想选择。
工作电压：±6V
峰值脉冲电流：25A
箝位电压：±12V
动态电阻：0.4Ω
结电容：0.4pF
响应时间：1ps
最大工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：DFN1006-2L
该器件采用先进的 SOI 工艺制造，确保其具有超低电容和快速响应时间，从而能够保护高频信号免受干扰。它支持双向保护，可处理正负方向的瞬态电压，简化了电路设计并减少了额外元件的需求。
IPD25DP06LMATMA1 提供非常低的动态电阻，这有助于降低功耗并在发生浪涌时提供更好的保护性能。此外，其小尺寸 DFN 封装使得它特别适合于空间受限的应用环境。
该元器件符合 AEC-Q101 标准，适用于汽车级应用，保证了在极端条件下的可靠性和稳定性。它还符合 RoHS 标准，满足环保要求。
IPD25DP06LMATMA1 广泛应用于各种需要高速数据保护的场景中，包括但不限于：
- 高速接口保护，如 USB 2.0/3.0、HDMI、DisplayPort、以太网等。
- 汽车电子系统中的数据线保护，例如 CAN 总线、LIN 总线。
- 移动设备中的射频前端保护。
- 工业控制系统的通信端口保护。
- 医疗设备的数据传输保护。
它的低电容特性和高可靠性使其成为对信号完整性要求较高的应用场合的最佳选择。
IPD25DP06LMACTMA1, IPD25DP06LMATMB1
