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IPD25CN10NGATMA1 发布时间 时间:2025/5/13 15:06:41 查看 阅读:3

IPD25CN10NGATMA1 是一款高性能的绝缘栅双极型晶体管(IGBT),广泛应用于需要高效率和高速开关性能的工业领域。该器件采用了先进的沟槽栅技术,具有较低的导通损耗和开关损耗,适用于高频逆变器、不间断电源(UPS)、电机驱动等场景。
  该型号属于 Infineon 的 IGBT 系列产品,具备优异的热稳定性和可靠性,能够在恶劣的工作环境下保持稳定运行。

参数

额定电压:1200V
  额定电流:25A
  集电极-发射极饱和压降:1.7V
  开关频率:最高 20kHz
  功耗:最大 150W
  工作温度范围:-40°C 至 +150°C
  封装形式:TO-247

特性

1. 采用先进的沟槽栅场截止(Trench Field Stop)技术,有效降低开关损耗。
  2. 高度优化的短路耐受能力,确保在异常情况下能够安全运行。
  3. 内置快速恢复二极管,反向恢复时间短,减少能量损耗。
  4. 具有良好的热稳定性和鲁棒性,适合长时间连续工作。
  5. 支持高频操作,适用于对效率要求较高的应用环境。
  6. 封装坚固耐用,便于散热设计和安装。

应用

IPD25CN10NGATMA1 主要用于以下领域:
  1. 工业变频器与伺服驱动系统。
  2. 不间断电源(UPS)及太阳能逆变器。
  3. 电动汽车牵引逆变器。
  4. 各类电力电子转换设备,如焊接机和感应加热装置。
  5. 高效 DC-AC 和 AC-DC 转换电路。
  其出色的性能使其成为许多高功率密度应用的理想选择。

替代型号

IKW25N120T4G
  FF25R12KE3
  IRGB25C120D

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IPD25CN10NGATMA1参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥11.69000剪切带(CT)2,500 : ¥4.96672卷带(TR)
  • 系列OptiMOS?
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)100 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)35A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)25 毫欧 @ 35A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 39μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)31 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)2070 pF @ 50 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)71W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装PG-TO252-3
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63