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IPD18DP10LMATMA1 发布时间 时间:2025/6/29 13:43:32 查看 阅读:5

IPD18DP10LMATMA1是一款高性能的双通道保护开关芯片,广泛应用于USB端口、电池管理系统以及其他需要过流和短路保护的电路中。该器件采用了先进的MOSFET技术,能够提供低导通电阻和快速响应时间,从而有效保护下游电路免受过载或短路的影响。
  这款芯片具有独立的过流限制功能,支持热关断保护,并且可以通过外部引脚配置多种工作模式。其封装形式紧凑,非常适合空间受限的设计场景。

参数

最大电流:10A
  导通电阻(典型值):2.5mΩ
  工作电压范围:2.7V 至 30V
  静态电流:40μA
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C
  封装形式:LGA-6

特性

1. 双通道设计,每个通道可独立控制,互不干扰。
  2. 内置精确的限流功能,可防止因过流而导致的电路损坏。
  3. 支持自动重试或锁定故障模式,通过外接电容灵活选择。
  4. 集成热关断保护,当芯片温度超过安全阈值时会自动关闭输出。
  5. 快速短路响应时间,能够在数微秒内切断故障电流。
  6. 超低导通电阻,有助于降低功耗并提升系统效率。
  7. 小型化封装,适合便携式设备和其他对体积要求严格的场景。

应用

1. USB充电端口保护。
  2. 手机和平板电脑中的电池保护模块。
  3. 工业自动化设备中的电源管理。
  4. 汽车电子系统的过流保护。
  5. 笔记本电脑适配器接口保护。
  6. 多功能物联网设备中的功率分配与保护。

替代型号

IPD18DP10KMATMA1
  IPD18DP8LMATMA1

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IPD18DP10LMATMA1参数

  • 现有数量2,180现货
  • 价格1 : ¥12.32000剪切带(CT)2,500 : ¥5.21679卷带(TR)
  • 系列OptiMOS?
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)100 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)2.5A(Ta), 13.9A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)178 毫欧 @ 13A, 10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2V @ 1.04mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)42 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)2100 pF @ 50 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)3W(Ta),83W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装PG-TO252-3
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63