时间：2025/6/19 1:50:07
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IPD170N04NG 是一款 N 沣道开关 MOSFET 芯片，采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高效率的特点。这种芯片通常用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等应用中，能够提供出色的性能表现。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：170A
导通电阻：1.5mΩ
栅极电荷：96nC
总电容：3280pF
工作温度范围：-55℃ to 150℃
IPD170N04NG 的主要特性包括低导通电阻，这有助于减少功率损耗并提高整体效率。
该芯片还具有较高的电流处理能力，使其适用于大功率应用场景。
其快速开关特性和低栅极电荷可以减少开关损耗，进一步提升系统性能。
此外，它具备良好的热稳定性和可靠性，在高温环境下依然能够保持稳定运行。
这款 MOSFET 芯片广泛应用于工业和汽车领域，例如 DC-DC 转换器、逆变器、电动车辆的牵引逆变器以及各类开关模式电源 (SMPS) 中。
由于其强大的电流承载能力和高效的工作性能，也常被用作电机驱动和负载开关的元件。
IPW170R010N04, IRFZ44N
