时间：2025/6/12 16:04:22
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IPD170N04N是一款高性能的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件，由Infineon Technologies生产。该器件主要应用于需要高效开关和低导通电阻的场景，如电机驱动、电源管理以及各种工业和消费类电子产品中。
IPD170N04N属于N沟道增强型MOSFET，具有出色的电气特性和热性能。其设计旨在降低功率损耗并提高系统效率，特别适合高频开关应用。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：170A
导通电阻：2.3mΩ
栅极电荷：125nC
开关速度：快速开关
封装类型：DPAK (TO-263)
IPD170N04N的关键特性包括以下几点：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可有效减少功率损耗，提升系统效率。
2. 高额定电流能力，能够支持大功率应用。
3. 快速开关性能，使其在高频工作条件下表现优异。
4. 优秀的热稳定性，确保器件在高负载下的可靠运行。
5. 小巧的封装设计有助于节省电路板空间。
6. 符合RoHS标准，环保且满足国际法规要求。
IPD170N04N适用于广泛的工业和消费类应用领域，包括但不限于以下：
1. 开关电源（SMPS）中的功率转换和调节。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动控制。
3. 新能源汽车中的DC-DC转换器和电池管理系统。
4. 工业自动化设备中的负载切换和保护。
5. LED照明系统的恒流驱动和调光控制。
6. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关产品中的功率管理。
IPW170N04N
IPP170N04S
IXTH120N04T
STP170N04
FDP170N04
