IPD14N03LBG 时间：2025/6/21 0:33:46 阅读：3

IPD14N03LBG 是一款 N 沣道通晶体管（N-Channel MOSFET），主要应用于需要高效开关和低导通电阻的电路设计中。该器件采用先进的制程工艺，具备优异的电气性能和可靠性，适合各种功率转换和负载驱动应用。
　　这款 MOSFET 具有较低的导通电阻，可以显著降低功率损耗，同时具有快速的开关速度和良好的热稳定性，使其成为电源管理、电机控制和其他高效率需求场景的理想选择。

参数

最大漏源电压：30V
　　连续漏电流：25A
　　导通电阻：6mΩ
　　栅极电荷：7nC
　　总电容：115pF
　　工作温度范围：-55℃ to 150℃

特性

IPD14N03LBG 的导通电阻非常低，仅为 6mΩ，这有助于减少在高电流应用中的功率损耗。
　　其最大漏源电压为 30V，能够满足大多数低压系统的需求。
　　该器件的栅极电荷较小，仅为 7nC，这意味着它具有更快的开关速度，从而提高了整体效率。
　　此外，该器件的工作温度范围广泛，从 -55℃ 到 150℃，适应多种环境条件下的应用。
　　MOSFET 还具备出色的热稳定性和抗静电能力，确保了长时间运行的可靠性。

应用

IPD14N03LBG 广泛应用于 DC-DC 转换器、开关电源、电池管理系统、电机驱动器、负载开关以及其他需要高效功率管理的电子设备中。
　　其低导通电阻特性使其特别适用于大电流应用场景，例如电动车充电器、工业自动化设备和消费类电子产品。
　　由于其快速的开关特性和宽广的工作温度范围，该器件非常适合对效率和可靠性要求较高的系统。