时间：2025/7/11 23:59:27
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IPD144N06NG 是一款 N 沟道增强型 MOSFET，采用先进的半导体工艺制造。该器件具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能，适用于多种功率转换和开关应用。
这款 MOSFET 的额定电压为 60V，能够满足大多数低压系统的应用需求。它还具有出色的电流处理能力，使其成为驱动电机、DC-DC 转换器和其他功率管理电路的理想选择。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：120A
导通电阻：0.9mΩ
栅极电荷：75nC
开关时间：ton=35ns, toff=28ns
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
IPD144N06NG 具有非常低的导通电阻（Rds(on)），在大电流应用中可以显著降低功耗和发热。
此外，其快速的开关特性和低栅极电荷设计有助于提高系统效率，同时减少电磁干扰 (EMI)。
由于采用了坚固耐用的封装技术，该器件能够在恶劣的工作环境下保持稳定性能，并且支持较高的结温范围，延长了产品的使用寿命。
该 MOSFET 广泛应用于工业、汽车和消费类电子领域，包括但不限于以下场景：
- 高效 DC-DC 转换器
- 电动工具中的电机驱动
- 汽车电子设备中的负载切换
- 太阳能逆变器
- 不间断电源 (UPS) 系统
- 各种开关模式电源 (SMPS) 解决方案
IPW130N06S, IRF3205
