时间：2025/7/10 12:21:06
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IPD13N03LAG 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的 N 沟道功率 MOSFET。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，非常适合用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及负载开关等应用中。其封装形式为 TO-263 (DPAK)，有助于提高散热性能并简化 PCB 布局设计。
该 MOSFET 的最大工作电压为 30V，能够满足大多数低压应用需求，并且其漏极电流高达 13A（在特定条件下），使其适用于大电流场景。此外，IPD13N03LAG 还具备良好的热稳定性和抗浪涌能力。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：13A
导通电阻（典型值）：1.8mΩ
栅极电荷：15nC
开关速度：快速
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装：TO-263 (DPAK)
IPD13N03LAG 具有非常低的导通电阻（典型值为 1.8mΩ），这可以显著降低功率损耗，从而提高系统效率。同时，它拥有较小的栅极电荷，使得开关速度更快，有助于减少开关损耗。
这款 MOSFET 的工作温度范围宽广，从 -55°C 到 +175°C，能够在极端环境下保持稳定运行。其封装类型 TO-263 提供了优秀的散热性能，便于将热量有效地传导到散热片或 PCB 上。
此外，IPD13N03LAG 的高电流承载能力和抗浪涌能力使其特别适合需要频繁开关或者短时过载的应用场景。
IPD13N03LAG 广泛应用于各种电力电子领域，包括但不限于以下方面：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC 转换器，如降压、升压或升降压拓扑结构。
3. 电机驱动电路，尤其是小型直流无刷电机控制。
4. 负载开关，用于动态管理设备中的不同负载状态。
5. 电池管理系统（BMS），保护电池免受过流、短路等问题的影响。
6. 工业自动化设备中的信号隔离与功率传输控制。
由于其出色的性能，IPD13N03LAG 成为许多工程师在低压大电流应用中的首选解决方案。
IPB150N03L,
IRLZ44N,
FDP15A,
AO3400
