时间：2025/4/27 18:00:34
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IPD11DP10NM是一款高性能的双通道N沟道MOSFET功率集成器件，专为需要高效率和低功耗的应用而设计。该器件采用先进的半导体工艺制造，具有较低的导通电阻和快速开关特性，能够显著降低功率损耗并提高系统性能。它广泛应用于消费电子、通信设备及工业控制等领域。
型号：IPD11DP10NM
类型：双通道N沟道MOSFET
封装：SO-8
VDS（漏源电压）：30V
RDS(on)（导通电阻）：15mΩ（典型值，25°C）
ID（连续漏电流）：10A
Qg（栅极电荷）：10nC
fT（特征频率）：460MHz
VGS(th)（阈值电压）：1.8V
Ptot（总功率耗散）：1.2W
工作温度范围：-55°C至+150°C
IPD11DP10NM具有以下主要特性：
1. 双通道设计，适合多路电源管理应用。
2. 极低的导通电阻RDS(on)，有助于减少传导损耗。
3. 快速开关速度，支持高频操作以提升效率。
4. 小型化SO-8封装，节省PCB空间。
5. 高可靠性，能够在极端温度范围内稳定运行。
6. 内置ESD保护功能，增强抗静电能力。
7. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
该器件适用于多种应用场景，包括但不限于：
1. 手机和平板电脑等便携式设备中的负载开关。
2. USB充电端口保护电路。
3. 各类DC-DC转换器和降压/升压电路。
4. 工业自动化系统中的信号切换。
5. 通信基站中的电源管理和保护电路。
6. 汽车电子系统的电源分配网络。
IPD09DP10NM
IPB124N03L4
IRLR7843TRPBF
