时间：2025/5/27 16:28:00
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IPD10N03B是一款高性能的MOSFET功率晶体管，采用TO-252封装形式。该器件主要应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及各种需要高效功率控制的场景中。其低导通电阻和快速开关特性使其成为许多功率电子应用的理想选择。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：10A
导通电阻：4.5mΩ
栅极电荷：7nC
总电容：135pF
工作温度范围：-55℃至150℃
IPD10N03B具有低导通电阻，可显著降低功率损耗，提升系统效率。同时，它具备较高的开关速度，能够减少开关过程中的能量损失，并且支持高达10安培的连续漏极电流，适用于多种高功率应用场景。
此外，该器件还拥有较低的栅极电荷和输出电容，有助于实现更快的切换时间，从而进一步提高系统的整体性能。其工作温度范围从-55℃到150℃，能够在恶劣环境下稳定运行。
IPD10N03B广泛用于各类功率电子设备中，包括但不限于以下领域：
1. 开关模式电源(SMPS)
2. DC-DC转换器
3. 汽车电子系统中的负载切换
4. 工业自动化设备中的电机驱动
5. 各种电池管理与保护电路
6. LED驱动器及背光控制系统
IRLZ44N
AO3400
FDP018N03L
