IPD090N03LA 时间：2025/6/19 19:11:59 阅读：5

IPD090N03LA是一款由Infineon（英飞凌）生产的功率MOSFET，采用先进的沟槽式技术制造。该器件具有低导通电阻和高效率的特点，适用于各种开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等应用领域。其额定电压为30V，连续漏极电流可达90A，封装形式为TO-247-3。

参数

最大漏源电压：30V
　　连续漏极电流：90A
　　导通电阻：1.8mΩ（典型值）
　　栅极电荷：36nC（典型值）
　　输入电容：3520pF（典型值）
　　反向恢复时间：10ns（典型值）
　　工作结温范围：-55℃至+175℃
　　封装形式：TO-247-3

特性

IPD090N03LA的主要特性包括：
　　1. 极低的导通电阻（Rds(on)），确保了高效的功率传输并减少了热损耗。
　　2. 高速开关性能，能够满足高频开关应用的需求。
　　3. 优异的热稳定性，在高温环境下仍能保持稳定的性能。
　　4. 具备雪崩能力和短路耐受能力，提高了系统的可靠性和耐用性。
　　5. 符合RoHS标准，绿色环保。
　　6. 采用了英飞凌先进的OptiMOS?技术，进一步优化了功率密度和效率。

应用

IPD090N03LA广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）中的功率级开关。
　　2. DC-DC转换器中的同步整流和主开关。
　　3. 电机驱动电路中的功率开关。
　　4. 电池管理系统中的负载开关。
　　5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
　　6. 电动汽车和混合动力汽车中的电力电子系统。