时间：2025/6/28 22:25:01
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IPD088N04LG 是一款 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由 Infineon Technologies 生产。该器件采用逻辑电平栅极驱动设计，能够在低电压条件下轻松开启，适用于各种高效能开关应用。其封装形式为 TO-Leadless (TOLL)，能够提供出色的热性能和电气性能。
该 MOSFET 的主要特点是具有较低的导通电阻（Rds(on)效率。同时，它还具备较高的雪崩击穿能力，使其在瞬态条件下更加可靠。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：88A
导通电阻：1.5mΩ
栅极电荷：76nC
总电容：2350pF
工作结温范围：-55℃ to 175℃
IPD088N04LG 提供了非常低的导通电阻，有助于降低传导损耗，并且支持高电流操作。其逻辑电平兼容性使得栅极驱动电路设计更为简单，无需额外的升压电路。此外，这款 MOSFET 还具备快速开关速度，减少了开关损耗，适合高频应用环境。
由于采用了 TOLL 封装，IPD088N04LG 能够有效提升散热性能，进一步增强功率密度。它的高可靠性以及对短路和浪涌电流的耐受能力，使它成为工业和汽车领域中的理想选择。
IPD088N04LG 广泛应用于 DC-DC 转换器、电机驱动、太阳能逆变器、不间断电源 (UPS) 等场景。此外，在电动车 (EV) 和混合动力车 (HEV) 的牵引逆变器中也有出色表现。任何需要高效功率开关的应用场合都可以考虑使用此款 MOSFET。
IPA097N04L_G7,
IPW100N04L_G7,
IPP097N04S4_G7
