时间：2025/5/13 8:52:25
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IPD07N03L 是一款 N 沟道逻辑电平增强型 MOSFET，采用 DPAK 封装。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于多种功率转换和负载开关应用。其额定电压为 30V，最大电流可达 7A。由于其优异的性能和可靠性，IPD07N03L 在消费电子、工业控制和通信设备中被广泛使用。
漏源击穿电压：30V
连续漏极电流：7A
栅极阈值电压：1V 至 2.5V
导通电阻（典型值）：4.8mΩ
总功耗：26W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装类型：DPAK
结温：175℃
IPD07N03L 具有非常低的导通电阻（Rds(on)），这有助于降低传导损耗并提高效率。
该器件采用了先进的工艺技术制造，确保了其在高频开关应用中的卓越表现。
它的逻辑电平驱动能力使得可以直接与标准的数字逻辑电路配合使用，无需额外的驱动电路。
此外，IPD07N03L 的高雪崩能量能力和坚固的设计使其能够在严苛的工作条件下保持稳定运行。
其封装形式也便于散热管理，适合大功率应用。
IPD07N03L 广泛应用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动器以及电池保护等场景。
它也可以用于各种电源管理系统中，例如笔记本电脑适配器、平板电脑充电器和 LED 驱动器。
在通信领域，IPD07N03L 常见于基站电源模块和网络设备的功率分配部分。
同时，它还可以用作功率放大器的输出级开关，在音频设备中有一定的应用市场。
AO3400A
IRLZ44N
FDP077N03L
DMN2029USN-13
