时间：2025/8/2 7:35:30
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IPD079N06L3GBTMA1 是一款由英飞凌（Infineon）生产的功率MOSFET器件，属于OptiMOS?系列。该器件专为高效率、高频开关应用设计，广泛用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动、电池充电器等电力电子系统中。IPD079N06L3GBTMA1 采用先进的沟槽技术，具备低导通电阻（RDS(on)）和优异的热性能，能够在高负载条件下保持稳定运行。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：60V
漏极电流（ID）：79A
导通电阻（RDS(on)）：7.9mΩ @ VGS=10V
栅极电压（VGS）：±20V
功耗（Ptot）：100W
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装类型：PG-HSOF-8
IPD079N06L3GBTMA1 MOSFET具有多项显著的技术特性，使其适用于高性能电源管理系统。首先，其导通电阻仅为7.9mΩ，在VGS为10V时能够有效降低导通损耗，从而提高整体系统效率。此外，该器件支持高达79A的漏极电流，适用于高功率密度设计。
该MOSFET采用OptiMOS?沟槽技术，优化了开关性能，减少了开关损耗，适用于高频开关应用。其最大漏源电压为60V，适用于多种中低压电源转换系统，如同步整流、DC-DC降压/升压转换器等。
在封装方面，IPD079N06L3GBTMA1采用PG-HSOF-8封装，具有良好的散热性能，能够在高负载下保持较低的结温。该封装还兼容表面贴装技术（SMT），便于自动化生产与高密度PCB布局。
此外，该器件的栅极驱动电压范围为±20V，具备良好的抗干扰能力。工作温度范围覆盖-55°C至+175°C，适应工业级与汽车级应用环境，具备较高的可靠性和稳定性。
IPD079N06L3GBTMA1 MOSFET适用于多种电源管理系统和功率电子设备。其主要应用包括但不限于同步整流电路、DC-DC转换器（如Buck、Boost、Buck-Boost转换器）、电机驱动器、负载开关、电池管理系统（BMS）以及服务器电源和通信设备电源模块。
由于其低导通电阻和高电流承载能力，该器件特别适合用于高效率电源转换系统，如48V电源架构、服务器电源供应器、电信整流器等。在汽车电子领域，该MOSFET也可用于车载充电器、DC-DC转换器以及电动助力转向系统（EPS）等应用。
此外，IPD079N06L3GBTMA1还可用于工业自动化设备、不间断电源（UPS）系统、太阳能逆变器和储能系统中的功率控制部分，提供高可靠性和高效的电力转换解决方案。
IPW079N06L3-11, BSC079N06LS, IPD070N06L3-11
