时间：2025/6/22 10:53:54
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IPD079N06L3 G 是一款基于 Trench MOSFET 技术的 N 沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET）。该器件采用先进的制程工艺，具有低导通电阻、快速开关速度和高效率等特性。广泛应用于电源管理、电机驱动、消费电子以及工业控制等领域。
最大漏源电压：60V
最大连续漏电流：7.9A
最大栅源电压：±20V
导通电阻：45mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
栅极电荷：2.9nC（典型值）
反向恢复时间：无（由于是 MOSFET 结构）
封装类型：TO-252 (DPAK)
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
IPD079N06L3 G 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，确保更高的能效和更低的功耗。
2. 高速开关性能，支持高频应用。
3. 优异的热稳定性，即使在高温环境下也能保持稳定的性能。
4. 小型化的 TO-252 封装设计，节省 PCB 空间。
5. 强大的短路耐受能力，提高系统可靠性。
6. 符合 RoHS 标准，环保且适合全球市场使用。
该 MOSFET 器件适用于多种应用领域，包括但不限于：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流和功率因数校正（PFC）。
2. 直流/直流转换器和负载开关。
3. 电机驱动电路中的桥式配置。
4. 电池管理系统（BMS）中的充放电保护。
5. 消费类电子产品如笔记本适配器、电视和音响设备的电源部分。
6. 工业自动化设备中的信号切换和功率控制。
IPB079N06L3 G, IPP079N06L3 G
