时间：2025/5/20 17:13:44
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IPD068N10N3G是一款基于沟槽式MOSFET技术的高压功率场效应晶体管（MOSFET）。该器件采用TO-220封装，广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器和DC-DC转换器等高电压应用领域。其低导通电阻和优化的开关性能能够有效降低功耗并提升系统效率。
型号：IPD068N10N3G
封装：TO-220
Vds（漏源极击穿电压）：100V
Rds(on)（导通电阻）：6.8mΩ
Id（连续漏极电流）：45A
Qg（栅极电荷）：69nC
Eoss（输出电容能量损失）：47μJ
Vgs(th)（栅极开启电压）：2.5V～4.5V
f（工作频率）：高达500kHz
IPD068N10N3G具有优异的热特性和电气性能。
1. 采用先进的沟槽式结构，使得导通电阻更低，从而降低了传导损耗。
2. 栅极电荷小，有助于实现更快的开关速度和更高的工作频率，适合高频应用。
3. 具有良好的雪崩能力和抗静电性能，提高了器件在严苛环境下的可靠性。
4. 低寄生电感的TO-220封装设计，确保了更好的散热效果和电气连接稳定性。
5. 可以承受较高的瞬态电压冲击，适用于高电压工业场景。
IPD068N10N3G适用于多种电力电子应用场景：
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关。
2. 电机驱动电路，包括步进电机、直流无刷电机等。
3. 逆变器模块，用于太阳能发电、不间断电源（UPS）等系统。
4. DC-DC转换器，提供高效的电压转换功能。
5. 工业自动化设备中的负载切换控制。
6. 各类电池管理系统（BMS）中的保护和调节电路。
IPW070N10N3G
IPP076N10N3G
