时间：2025/4/27 9:08:17
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IPD055N08NF2S是一款高性能的N沟道增强型功率MOSFET，采用PDFN33封装形式。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于多种电源管理和功率转换应用。其设计旨在优化效率、减小热损耗并提高系统可靠性。
型号：IPD055N08NF2S
封装：PDFN33 (3.3x3.3mm)
Vds（漏源电压）：80V
Rds(on)（导通电阻）：5.5mΩ（典型值，在Vgs=10V条件下）
Id（连续漏极电流）：74A
Vgs（栅源电压）：±20V
fT（截止频率）：6.9MHz
结温范围：-55°C至175°C
功耗：25W（最大值）
IPD055N08NF2S拥有非常低的导通电阻，这使其在高电流应用中表现出色，并显著降低功率损耗。
其小型化的PDFN33封装有助于节省PCB空间，非常适合于紧凑型设计需求。
该芯片具备良好的热稳定性，能够在较高温度范围内可靠运行，确保了其在恶劣环境下的适应能力。
此外，IPD055N08NF2S支持高频开关操作，因此非常适合用于同步整流器、DC-DC转换器和负载开关等场景。
它的高雪崩能力和坚固的设计进一步增强了器件的鲁棒性，从而减少了故障风险。
IPD055N08NF2S广泛应用于各种功率电子领域，包括但不限于：
- 服务器和通信设备中的高效能电源管理
- 笔记本电脑适配器及充电器
- 汽车电子系统中的负载切换
- DC-DC转换器和降压/升压电路
- 各类工业控制设备中的功率级驱动
- 电池管理系统中的保护电路
- 多种消费类电子产品中的电源模块
IPD055N08NF2
IPP055N08N
IRLHS004PBF
