IPD052N10NF2S 是一款 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由 Infineon Technologies 生产。该器件具有高效率和低导通电阻的特点,适用于需要高效功率转换的场景。其封装形式为 PDFN3x3-8L,体积小且散热性能良好,非常适合空间受限的应用场合。
这款 MOSFET 的最大特点是其极低的导通电阻(Rds(on)),这使得它在开关电源、负载切换、电机驱动等应用中能够显著降低功耗并提高系统效率。
最大漏源电压:100V
连续漏极电流:5.4A
导通电阻(Rds(on)):2.9mΩ
栅极电荷:7nC
总电容:460pF
工作结温范围:-55℃ 至 +175℃
封装形式:PDFN3x3-8L
1. 极低的导通电阻(2.9mΩ),有助于降低导通损耗并提升效率。
2. 高速开关性能,栅极电荷仅为 7nC,适合高频应用。
3. 小型化封装(PDFN3x3-8L),节省 PCB 空间。
4. 宽工作温度范围(-55℃ 至 +175℃),适应多种恶劣环境。
5. 符合 RoHS 标准,环保无铅设计。
1. 开关模式电源(SMPS)中的功率转换。
2. DC-DC 转换器中的同步整流。
3. 电池管理系统的负载切换。
4. 电机驱动和控制电路。
5. 工业自动化设备中的功率管理模块。
6. 消费类电子产品中的高效功率管理方案。
IPB052N10N3G, IPP052N10N3L