时间：2025/5/27 16:18:29
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IPD052N10NF2S 是一款 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由 Infineon Technologies 生产。该器件具有高效率和低导通电阻的特点，适用于需要高效功率转换的场景。其封装形式为 PDFN3x3-8L，体积小且散热性能良好，非常适合空间受限的应用场合。
这款 MOSFET 的最大特点是其极低的导通电阻（Rds(on)），这使得它在开关电源、负载切换、电机驱动等应用中能够显著降低功耗并提高系统效率。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：5.4A
导通电阻（Rds(on)）：2.9mΩ
栅极电荷：7nC
总电容：460pF
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：PDFN3x3-8L
1. 极低的导通电阻（2.9mΩ），有助于降低导通损耗并提升效率。
2. 高速开关性能，栅极电荷仅为 7nC，适合高频应用。
3. 小型化封装（PDFN3x3-8L），节省 PCB 空间。
4. 宽工作温度范围（-55℃ 至 +175℃），适应多种恶劣环境。
5. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
1. 开关模式电源（SMPS）中的功率转换。
2. DC-DC 转换器中的同步整流。
3. 电池管理系统的负载切换。
4. 电机驱动和控制电路。
5. 工业自动化设备中的功率管理模块。
6. 消费类电子产品中的高效功率管理方案。
IPB052N10N3G, IPP052N10N3L
