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IPD052N10NF2S 发布时间 时间:2025/5/27 16:18:29 查看 阅读:12

IPD052N10NF2S 是一款 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由 Infineon Technologies 生产。该器件具有高效率和低导通电阻的特点,适用于需要高效功率转换的场景。其封装形式为 PDFN3x3-8L,体积小且散热性能良好,非常适合空间受限的应用场合。
  这款 MOSFET 的最大特点是其极低的导通电阻(Rds(on)),这使得它在开关电源、负载切换、电机驱动等应用中能够显著降低功耗并提高系统效率。

参数

最大漏源电压:100V
  连续漏极电流:5.4A
  导通电阻(Rds(on)):2.9mΩ
  栅极电荷:7nC
  总电容:460pF
  工作结温范围:-55℃ 至 +175℃
  封装形式:PDFN3x3-8L

特性

1. 极低的导通电阻(2.9mΩ),有助于降低导通损耗并提升效率。
  2. 高速开关性能,栅极电荷仅为 7nC,适合高频应用。
  3. 小型化封装(PDFN3x3-8L),节省 PCB 空间。
  4. 宽工作温度范围(-55℃ 至 +175℃),适应多种恶劣环境。
  5. 符合 RoHS 标准,环保无铅设计。

应用

1. 开关模式电源(SMPS)中的功率转换。
  2. DC-DC 转换器中的同步整流。
  3. 电池管理系统的负载切换。
  4. 电机驱动和控制电路。
  5. 工业自动化设备中的功率管理模块。
  6. 消费类电子产品中的高效功率管理方案。

替代型号

IPB052N10N3G, IPP052N10N3L

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