时间：2025/5/9 18:40:25
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IPD050N10N5 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，由 Infineon（英飞凌）公司生产。该器件采用先进的沟槽式技术制造，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。其封装形式为 TO-Leadless (TOLL)，有助于实现更高的功率密度和更小的系统尺寸。该芯片广泛应用于汽车电子、工业控制和消费类电子产品中的高效能开关应用。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：52A
导通电阻（典型值）：1.6mΩ
栅极电荷（典型值）：78nC
反向恢复时间：39ns
工作结温范围：-55℃ 至 175℃
封装形式：TOLL
IPD050N10N5 具有低导通电阻和快速开关能力，能够显著降低传导损耗和开关损耗。
它采用了 Infineon 的 CoolMOS 技术，能够在高功率密度的应用中提供卓越的效率和可靠性。
其 TOLL 封装不仅减小了寄生电感，还优化了散热性能，非常适合高频开关场景。
此外，该器件具备强大的短路耐受能力和良好的抗 EMI 性能，适合在恶劣环境下运行。
IPD050N10N5 主要用于需要高性能开关的场合，例如 DC-DC 转换器、电机驱动器、逆变器以及太阳能微型逆变器等。
在汽车领域，它可以应用于电动助力转向系统（EPS）、电池管理系统（BMS）和车载充电器。
同时，这款 MOSFET 还适用于工业自动化设备中的开关电源和功率转换模块。
IPW050N10N5,
IPP050N10N5,
IPP050N10N4L
