时间：2025/6/22 5:20:52
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IPD050N03L G 是一款 N 沃特弗德功率 MOSFET，采用 TOLL 封装。该器件由 Infineon（英飞凌）生产，广泛应用于汽车电子和工业应用领域。其主要特点是低导通电阻、高效率和出色的热性能。这种功率 MOSFET 适合用于 DC-DC 转换器、电机驱动和负载开关等应用。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：56A
导通电阻：1.2mΩ
栅极电荷：84nC
开关速度：快
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
封装类型：TOLL
IPD050N03L G 具有非常低的导通电阻 (Rds(on))，仅为 1.2mΩ，这有助于减少传导损耗并提高系统效率。
该器件还具有快速的开关速度，能够降低开关损耗，并支持高频操作。
它采用了 TOLL 封装，该封装具有出色的散热性能，允许在高功率密度应用中使用。
此外，该器件的工作温度范围为 -55℃ 至 175℃，使其非常适合高温环境下的应用。
IPD050N03L G 的高雪崩能力和坚固的设计进一步增强了其可靠性，特别是在严苛的电气条件下。
这款功率 MOSFET 主要用于汽车电子和工业应用中的高效功率转换场景。
典型应用包括：
1. DC-DC 转换器：用于电池供电设备或汽车电源管理系统。
2. 电机驱动：适用于各种类型的电动机控制，如 BLDC 和步进电机。
3. 负载开关：用于动态管理电路中的不同负载状态。
4. 开关电源 (SMPS)：用于实现高效的能量转换和调节。
5. 逆变器：用于将直流电转换为交流电的应用。
由于其高效率和耐用性，IPD050N03L G 成为这些领域的理想选择。
IPB050N03L G, IRFB4110TRPBF
