时间：2025/6/4 18:00:52
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IPD04N03LA 是一款 N 沣道通 MOSFET，采用小尺寸的 SOT23-3L 封装。该器件适用于低电压、高效率的开关应用场合，具有低导通电阻和快速开关特性。其典型应用包括负载开关、DC/DC 转换器、电池保护电路以及便携式设备中的电源管理。
该器件的工作电压范围为 0 至 30V，支持高达 4A 的连续漏极电流，并具备出色的热性能和电气性能。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±15V
连续漏极电流：4A
导通电阻（Rds(on)）：80mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
栅极电荷：6nC
输入电容：110pF
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够降低传导损耗，提升系统效率。
2. 快速的开关速度，适合高频应用场合。
3. 小型化封装设计（SOT23-3L），节省 PCB 空间，非常适合空间受限的应用。
4. 高可靠性，能够在较宽的工作温度范围内稳定运行。
5. 支持多种保护功能，例如过流保护和短路保护，增强了系统的安全性。
6. 具有较低的栅极电荷和输入电容，驱动更加简单且高效。
1. 移动设备中的负载开关应用，如智能手机和平板电脑。
2. DC/DC 转换器中的功率开关元件。
3. 电池管理系统中的保护开关。
4. 低功耗消费类电子产品中的电源管理。
5. 可穿戴设备和其他小型电子设备中的电源控制。
6. 各种工业控制和汽车电子中的小型化解决方案。
IPB040N03L, IPP040N03L
