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IPD04N03LA 发布时间 时间:2025/6/4 18:00:52 查看 阅读:6

IPD04N03LA 是一款 N 沣道通 MOSFET,采用小尺寸的 SOT23-3L 封装。该器件适用于低电压、高效率的开关应用场合,具有低导通电阻和快速开关特性。其典型应用包括负载开关、DC/DC 转换器、电池保护电路以及便携式设备中的电源管理。
  该器件的工作电压范围为 0 至 30V,支持高达 4A 的连续漏极电流,并具备出色的热性能和电气性能。

参数

最大漏源电压:30V
  最大栅源电压:±15V
  连续漏极电流:4A
  导通电阻(Rds(on)):80mΩ(典型值,在 Vgs=10V 时)
  栅极电荷:6nC
  输入电容:110pF
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃

特性

1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够降低传导损耗,提升系统效率。
  2. 快速的开关速度,适合高频应用场合。
  3. 小型化封装设计(SOT23-3L),节省 PCB 空间,非常适合空间受限的应用。
  4. 高可靠性,能够在较宽的工作温度范围内稳定运行。
  5. 支持多种保护功能,例如过流保护和短路保护,增强了系统的安全性。
  6. 具有较低的栅极电荷和输入电容,驱动更加简单且高效。

应用

1. 移动设备中的负载开关应用,如智能手机和平板电脑。
  2. DC/DC 转换器中的功率开关元件。
  3. 电池管理系统中的保护开关。
  4. 低功耗消费类电子产品中的电源管理。
  5. 可穿戴设备和其他小型电子设备中的电源控制。
  6. 各种工业控制和汽车电子中的小型化解决方案。

替代型号

IPB040N03L, IPP040N03L

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