时间：2025/5/26 19:21:25
阅读：23
IPD042P03L3GATMA1是一款N沟道功率MOSFET，采用先进的制程技术制造。该器件具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，适用于多种功率转换和电机驱动应用。
该MOSFET的封装形式为TO-263（DPAK），具备较高的电流处理能力和良好的散热特性，能够满足现代电力电子系统对效率和可靠性的要求。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：42A
导通电阻（典型值）：1.5mΩ
总栅极电荷：38nC
开关时间：ton=9ns，toff=17ns
工作结温范围：-55℃至+175℃
1. 极低的导通电阻，可有效降低传导损耗，提高系统效率。
2. 快速开关性能，适合高频应用场合。
3. 高雪崩能力，增强了器件在异常情况下的耐用性。
4. 符合RoHS标准，环保且支持无铅焊接工艺。
5. 良好的热稳定性和可靠性，确保长时间运行的稳定性。
6. 封装形式紧凑，便于PCB布局设计。
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流。
2. DC-DC转换器的主开关或同步整流开关。
3. 电机驱动电路中的功率级元件。
4. 工业自动化设备中的负载切换。
5. 汽车电子系统的功率管理模块。
6. 太阳能逆变器和其他新能源相关设备的功率转换部分。
IPD038P03L3GATMA1
IRLB8748PBF
FDP048N03L
