您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > IPD042P03L3GATMA1

IPD042P03L3GATMA1 发布时间 时间:2025/5/26 19:21:25 查看 阅读:15

IPD042P03L3GATMA1是一款N沟道功率MOSFET,采用先进的制程技术制造。该器件具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,适用于多种功率转换和电机驱动应用。
  该MOSFET的封装形式为TO-263(DPAK),具备较高的电流处理能力和良好的散热特性,能够满足现代电力电子系统对效率和可靠性的要求。

参数

最大漏源电压:30V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:42A
  导通电阻(典型值):1.5mΩ
  总栅极电荷:38nC
  开关时间:ton=9ns,toff=17ns
  工作结温范围:-55℃至+175℃

特性

1. 极低的导通电阻,可有效降低传导损耗,提高系统效率。
  2. 快速开关性能,适合高频应用场合。
  3. 高雪崩能力,增强了器件在异常情况下的耐用性。
  4. 符合RoHS标准,环保且支持无铅焊接工艺。
  5. 良好的热稳定性和可靠性,确保长时间运行的稳定性。
  6. 封装形式紧凑,便于PCB布局设计。

应用

1. 开关电源(SMPS)中的同步整流。
  2. DC-DC转换器的主开关或同步整流开关。
  3. 电机驱动电路中的功率级元件。
  4. 工业自动化设备中的负载切换。
  5. 汽车电子系统的功率管理模块。
  6. 太阳能逆变器和其他新能源相关设备的功率转换部分。

替代型号

IPD038P03L3GATMA1
  IRLB8748PBF
  FDP048N03L

IPD042P03L3GATMA1推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

IPD042P03L3GATMA1参数

  • 现有数量1现货
  • 价格1 : ¥15.98000剪切带(CT)2,500 : ¥7.31356卷带(TR)
  • 系列OptiMOS?
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)70A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)4.2 毫欧 @ 70A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2V @ 270μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)175 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)12400 pF @ 15 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)150W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装PG-TO252-3
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63