IPD042P03L3GATMA1是一款N沟道功率MOSFET,采用先进的制程技术制造。该器件具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,适用于多种功率转换和电机驱动应用。
该MOSFET的封装形式为TO-263(DPAK),具备较高的电流处理能力和良好的散热特性,能够满足现代电力电子系统对效率和可靠性的要求。
最大漏源电压:30V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:42A
导通电阻(典型值):1.5mΩ
总栅极电荷:38nC
开关时间:ton=9ns,toff=17ns
工作结温范围:-55℃至+175℃
1. 极低的导通电阻,可有效降低传导损耗,提高系统效率。
2. 快速开关性能,适合高频应用场合。
3. 高雪崩能力,增强了器件在异常情况下的耐用性。
4. 符合RoHS标准,环保且支持无铅焊接工艺。
5. 良好的热稳定性和可靠性,确保长时间运行的稳定性。
6. 封装形式紧凑,便于PCB布局设计。
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流。
2. DC-DC转换器的主开关或同步整流开关。
3. 电机驱动电路中的功率级元件。
4. 工业自动化设备中的负载切换。
5. 汽车电子系统的功率管理模块。
6. 太阳能逆变器和其他新能源相关设备的功率转换部分。
IPD038P03L3GATMA1
IRLB8748PBF
FDP048N03L