时间：2025/7/8 15:36:40
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IPD036N04LG是一款由Infineon（英飞凌）生产的N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-252封装，适用于各种开关和功率转换应用。其设计优化了导通电阻和开关性能，适合在低电压环境下运行的设备中使用。该芯片广泛应用于消费电子、工业控制和汽车电子领域。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：3.6A
导通电阻：95mΩ
栅极电荷：10nC
工作结温范围：-55℃至175℃
封装类型：TO-252
IPD036N04LG具有较低的导通电阻，能够减少功率损耗并提高系统效率。此外，它具备快速的开关速度，从而降低开关损耗。该器件的高雪崩能量能力使其能够在严苛的工作条件下保持稳定。同时，其紧凑的封装形式使得PCB布局更加灵活。
由于采用了先进的制造工艺，这款MOSFET还拥有较高的可靠性和一致性，非常适合需要长时间稳定运行的应用场景。另外，它的低栅极电荷特性也使其易于驱动，并且能够显著提升高频开关性能。
IPD036N04LG主要应用于直流-直流转换器、负载开关、电机驱动电路以及电池管理系统等场景。此外，它还可以用于电源适配器、充电器以及其他便携式电子设备中的功率管理模块。在工业领域，该器件可用于各类自动化控制系统中的开关电路设计。在汽车电子方面，则可以用于车身电子控制单元或照明系统的功率调节部分。
IPA036N04L, IPD110N04L
