IPD036N04LG是一款由Infineon(英飞凌)生产的N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-252封装,适用于各种开关和功率转换应用。其设计优化了导通电阻和开关性能,适合在低电压环境下运行的设备中使用。该芯片广泛应用于消费电子、工业控制和汽车电子领域。
最大漏源电压:40V
连续漏极电流:3.6A
导通电阻:95mΩ
栅极电荷:10nC
工作结温范围:-55℃至175℃
封装类型:TO-252
IPD036N04LG具有较低的导通电阻,能够减少功率损耗并提高系统效率。此外,它具备快速的开关速度,从而降低开关损耗。该器件的高雪崩能量能力使其能够在严苛的工作条件下保持稳定。同时,其紧凑的封装形式使得PCB布局更加灵活。
由于采用了先进的制造工艺,这款MOSFET还拥有较高的可靠性和一致性,非常适合需要长时间稳定运行的应用场景。另外,它的低栅极电荷特性也使其易于驱动,并且能够显著提升高频开关性能。
IPD036N04LG主要应用于直流-直流转换器、负载开关、电机驱动电路以及电池管理系统等场景。此外,它还可以用于电源适配器、充电器以及其他便携式电子设备中的功率管理模块。在工业领域,该器件可用于各类自动化控制系统中的开关电路设计。在汽车电子方面,则可以用于车身电子控制单元或照明系统的功率调节部分。
IPA036N04L, IPD110N04L