时间：2025/6/13 18:36:14
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IPD036N04L G是一款由Infineon（英飞凌）生产的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件属于OptiMOS系列，采用TOLL封装形式。这种功率MOSFET主要用于需要高效能和低导通电阻的应用场景。它具有出色的热性能和电气特性，适合在工业、汽车以及消费类电子领域使用。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：36A
导通电阻：0.59mΩ
栅极电荷：75nC
开关速度：快速
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
IPD036N04L G具备非常低的导通电阻，仅为0.59毫欧，这使其能够显著减少传导损耗并提高效率。
其采用的TOLL封装技术不仅提升了散热能力，还简化了PCB设计过程。
器件支持高达175℃的工作结温，因此非常适合高可靠性要求的应用。
此外，该MOSFET拥有快速的开关速度，有助于降低开关损耗，同时提供稳定的电气性能。
IPD036N04L G广泛应用于各种电力转换系统中，例如DC-DC转换器、电机驱动、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器等。
由于其高效的特性和大电流处理能力，也常用于电动汽车充电设备和工业自动化设备中的功率管理模块。
另外，在消费类电子产品如笔记本电脑适配器或智能手机快充头中也能见到它的身影。
IPW036N04L G
