IPD034N06N3 G 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET,采用先进的半导体工艺制造。该器件具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,适用于各种高效能的电源管理应用。其额定电压为 60V,适合中低压应用场景,例如 DC-DC 转换器、负载开关和电机驱动等。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:48A
导通电阻:2.9mΩ(典型值,@ Vgs=10V)
栅极电荷:25nC(典型值)
开关频率:最高支持至 1MHz
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
封装形式:TO-263 (D2PAK)
1. 极低的导通电阻,有助于减少传导损耗并提高系统效率。
2. 快速开关能力,能够满足高频应用需求。
3. 高雪崩能力,增强了器件在异常条件下的可靠性。
4. 热稳定性优异,能够在高温环境下持续稳定运行。
5. 小型封装设计,便于 PCB 布局和散热处理。
1. 开关模式电源(SMPS)
2. DC-DC 转换器
3. 电池管理系统(BMS)
4. 电机驱动与控制
5. 工业自动化设备中的负载开关
6. 汽车电子领域中的电源管理
IPD034N06N3L G, IRFZ44N, FDP034N06L