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IPD034N06N3 G 发布时间 时间:2025/6/4 9:52:07 查看 阅读:6

IPD034N06N3 G 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET,采用先进的半导体工艺制造。该器件具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,适用于各种高效能的电源管理应用。其额定电压为 60V,适合中低压应用场景,例如 DC-DC 转换器、负载开关和电机驱动等。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:48A
  导通电阻:2.9mΩ(典型值,@ Vgs=10V)
  栅极电荷:25nC(典型值)
  开关频率:最高支持至 1MHz
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C
  封装形式:TO-263 (D2PAK)

特性

1. 极低的导通电阻,有助于减少传导损耗并提高系统效率。
  2. 快速开关能力,能够满足高频应用需求。
  3. 高雪崩能力,增强了器件在异常条件下的可靠性。
  4. 热稳定性优异,能够在高温环境下持续稳定运行。
  5. 小型封装设计,便于 PCB 布局和散热处理。

应用

1. 开关模式电源(SMPS)
  2. DC-DC 转换器
  3. 电池管理系统(BMS)
  4. 电机驱动与控制
  5. 工业自动化设备中的负载开关
  6. 汽车电子领域中的电源管理

替代型号

IPD034N06N3L G, IRFZ44N, FDP034N06L

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IPD034N06N3 G参数

  • 数据列表IPD034N06N3 G
  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列OptiMOS™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C100A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C3.4 毫欧 @ 100A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 93µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs130nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds11000pF @ 30V
  • 功率 - 最大167W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装PG-TO252-3
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称IPD034N06N3 G-NDSP000451070