时间：2025/6/4 9:52:07
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IPD034N06N3 G 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用先进的半导体工艺制造。该器件具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，适用于各种高效能的电源管理应用。其额定电压为 60V，适合中低压应用场景，例如 DC-DC 转换器、负载开关和电机驱动等。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：48A
导通电阻：2.9mΩ（典型值，@ Vgs=10V）
栅极电荷：25nC（典型值）
开关频率：最高支持至 1MHz
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-263 (D2PAK)
1. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗并提高系统效率。
2. 快速开关能力，能够满足高频应用需求。
3. 高雪崩能力，增强了器件在异常条件下的可靠性。
4. 热稳定性优异，能够在高温环境下持续稳定运行。
5. 小型封装设计，便于 PCB 布局和散热处理。
1. 开关模式电源（SMPS）
2. DC-DC 转换器
3. 电池管理系统（BMS）
4. 电机驱动与控制
5. 工业自动化设备中的负载开关
6. 汽车电子领域中的电源管理
IPD034N06N3L G, IRFZ44N, FDP034N06L
