时间：2025/5/12 11:24:26
阅读：5
IPC50N04S5-5R8是一款基于沟槽型MOSFET技术的功率场效应晶体管（Power MOSFET）。该器件采用TO-263封装形式，广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及负载开关等场景。此型号具有低导通电阻和高开关速度的特点，能够显著提高系统的效率和可靠性。
IPC50N04S5-5R8属于N沟道增强型MOSFET，其设计优化了热性能和电气特性，以满足现代电子设备对高效能和小型化的需求。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：50A
导通电阻：5.8mΩ
栅极电荷：19nC
输入电容：1700pF
工作温度范围：-55℃ to +150℃
该芯片具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于降低功耗并提高系统效率。
2. 快速开关能力，适合高频应用环境。
3. 高雪崩能量承受能力，增强了器件在异常情况下的鲁棒性。
4. 良好的热稳定性，确保在高温条件下仍能保持性能。
5. TO-263封装提供了良好的散热性能，并且易于集成到PCB板中。
6. 符合RoHS标准，环保无铅工艺制造。
IPC50N04S5-5R8适用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关或同步整流元件。
2. 电动工具及家用电器中的电机控制电路。
3. 工业自动化设备中的负载切换和保护功能。
4. 新能源汽车中的电池管理系统（BMS）和逆变器模块。
5. DC-DC转换器中的功率级组件。
6. 各类高效节能产品中的功率调节单元。
IPD50N04S5-5R8
IXFN50N04T
IRL50S04TRPBF
