IPBE65R115CFD7A 时间：2025/4/29 17:04:19 阅读：4

IPBE65R115CFD7A 是一款由 Infineon（英飞凌）推出的增强型 n 沱沟道 MOSFET。该器件采用先进的 TRENCHSTOP? IGBT 技术制造，具有低导通电阻和高开关效率的特点，适用于各种高功率密度的应用场景。
　　这款 MOSFET 的封装形式为 D2PAK-7 (I2PAK)，具有出色的散热性能和较低的寄生电感，使其非常适合高频开关应用。此外，其设计注重提高系统可靠性和降低电磁干扰（EMI），广泛应用于电机驱动、太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、以及 DC-DC 转换器等领域。

参数

最大漏源电压：650V
　　最大连续漏电流：80A
　　导通电阻（典型值）：115mΩ
　　栅极电荷（典型值）：93nC
　　反向恢复时间：34ns
　　工作结温范围：-55℃ 至 175℃
　　封装形式：D2PAK-7 (I2PAK)

特性

IPBE65R115CFD7A 的主要特性包括：
　　1. 极低的导通电阻（RDS(on)），能够显著降低传导损耗，提升整体系统效率。
　　2. 高频优化设计，适合要求快速开关的应用环境。
　　3. 具备高雪崩能力和鲁棒性，确保在恶劣条件下的可靠性。
　　4. 内置二极管具备超快恢复时间，有效减少开关损耗。
　　5. 采用无引线封装技术，减少了热阻和电气连接问题，从而提升了散热能力与电气性能。
　　6. 符合 RoHS 标准，支持环保设计需求。

应用

该 MOSFET 广泛应用于以下领域：
　　1. 工业电机驱动中的功率级开关。
　　2. 太阳能逆变器中用于高效的直流到交流转换。
　　3. 不间断电源（UPS）系统中作为主功率开关。
　　4. 电动汽车充电站及车载 DC-DC 转换器。
　　5. 各类高效能 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
　　6. 开关模式电源（SMPS）和 PFC（功率因数校正）电路。