时间：2025/4/29 17:04:19
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IPBE65R115CFD7A 是一款由 Infineon（英飞凌）推出的增强型 n 沱沟道 MOSFET。该器件采用先进的 TRENCHSTOP? IGBT 技术制造，具有低导通电阻和高开关效率的特点，适用于各种高功率密度的应用场景。
这款 MOSFET 的封装形式为 D2PAK-7 (I2PAK)，具有出色的散热性能和较低的寄生电感，使其非常适合高频开关应用。此外，其设计注重提高系统可靠性和降低电磁干扰（EMI），广泛应用于电机驱动、太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、以及 DC-DC 转换器等领域。
最大漏源电压：650V
最大连续漏电流：80A
导通电阻（典型值）：115mΩ
栅极电荷（典型值）：93nC
反向恢复时间：34ns
工作结温范围：-55℃ 至 175℃
封装形式：D2PAK-7 (I2PAK)
IPBE65R115CFD7A 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（RDS(on)），能够显著降低传导损耗，提升整体系统效率。
2. 高频优化设计，适合要求快速开关的应用环境。
3. 具备高雪崩能力和鲁棒性，确保在恶劣条件下的可靠性。
4. 内置二极管具备超快恢复时间，有效减少开关损耗。
5. 采用无引线封装技术，减少了热阻和电气连接问题，从而提升了散热能力与电气性能。
6. 符合 RoHS 标准，支持环保设计需求。
该 MOSFET 广泛应用于以下领域：
1. 工业电机驱动中的功率级开关。
2. 太阳能逆变器中用于高效的直流到交流转换。
3. 不间断电源（UPS）系统中作为主功率开关。
4. 电动汽车充电站及车载 DC-DC 转换器。
5. 各类高效能 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
6. 开关模式电源（SMPS）和 PFC（功率因数校正）电路。
IPW100R125CFD7A
IPP060N10S4L
IRFP4468TRPBF
