时间：2025/7/8 15:35:29
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IPB80N04S3-H4 是一款由 Infineon（英飞凌）生产的 N 沣 MOSFET。该器件采用先进的技术制造，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，适用于多种高效能功率转换应用。其优化的性能参数使其在消费电子、工业设备以及通信电源等领域中广泛应用。
该型号属于 OptiMOS 系列，专为降低功耗和提高效率而设计，适合要求高可靠性和高性能的应用场景。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：80A
导通电阻（典型值）：1.6mΩ
栅极电荷：25nC
开关频率：最高支持 1MHz
封装形式：DPAK（TO-263）
IPB80N04S3-H4 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于减少传导损耗，从而提升系统效率。
2. 高雪崩能量能力，增强了器件的鲁棒性，可在异常条件下提供保护。
3. 快速开关性能，使得其能够适应高频操作需求。
4. 热稳定性良好，在高温环境下仍能保持稳定的性能。
5. 符合 RoHS 标准，确保环保合规性。
6. 内置二极管功能，简化了电路设计并降低了整体成本。
这些特点使该器件非常适合用于 DC/DC 转换器、电机驱动、逆变器以及其他需要高效功率管理的场合。
IPB80N04S3-H4 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS)，如 AC/DC 和 DC/DC 转换器。
2. 电机控制与驱动，特别是无刷直流电机 (BLDC) 控制。
3. 电池管理系统 (BMS)，用于电动车和储能设备。
4. 工业自动化中的负载切换和保护电路。
5. 电信和网络设备的高效电源模块。
6. 消费类电子产品中的适配器和充电器。
由于其出色的性能，该器件是许多高效率和高可靠性应用的理想选择。
IPW80N04S3-L4
IPP80N04P4
IPD80N04S3-04
