时间：2025/5/9 17:01:26
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IPB65R190CFDA是英飞凌（Infineon）推出的一款基于TRENCHSTOP?技术的功率MOSFET。该器件采用TO-247封装形式，适用于高效率开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等应用领域。
这款MOSFET具有较低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少传导损耗并提高系统整体效率。同时，它具备较高的雪崩击穿能力和热稳定性，从而增强了在严苛环境下的可靠性。
型号：IPB65R190CFDA
封装：TO-247
V(DSS)（漏源极电压）：650 V
RDS(ON)（导通电阻，典型值@Vgs=10V）：190 mΩ
Qg（总栅极电荷）：37 nC
Ciss（输入电容）：2080 pF
f(t-th)（热时间常数）：2 ms
T(j)（结温范围）：-55℃ to +175℃
IPB65R190CFDA具有低导通电阻特性，在额定条件下其典型值为190毫欧姆，可显著降低功率损耗。
该芯片采用了先进的TRENCHSTOP?技术，这不仅提升了器件的电气性能，还改善了散热表现。
此外，此款MOSFET拥有高达650伏的耐压能力，确保其能够在高压环境下稳定工作。
器件的快速开关速度以及优化的dv/dt控制设计，进一步减少了开关损耗，并且提高了电磁兼容性表现。
IPB65R190CFDA还具备出色的雪崩击穿能力，使其可以承受短暂的过载情况而不损坏，增加了系统的安全性。
IPB65R190CFDA广泛应用于工业与汽车领域中需要高效能功率转换的场合。
在工业应用方面，它可以用于不间断电源（UPS）、太阳能逆变器以及各种类型的开关模式电源（SMPS）。
对于消费类电子产品而言，该MOSFET适合于笔记本电脑适配器、电视机电源等产品。
此外，在电动车充电设施及电机控制系统中也有着良好的应用前景。
IPW65R190CFD, IPP60R190CP
