时间：2025/12/23 9:40:08
阅读：14
IPB65R110CFD是英飞凌（Infineon）推出的MOSFET功率晶体管，采用TRENCHSTOP?技术制造。该器件属于P沟道增强型MOSFET，主要应用于开关电源、电机驱动、负载切换等场景。其特点是低导通电阻和快速开关特性，能够有效降低功耗并提高效率。
IPB65R110CFD的封装形式为TO-Leadless (TOLL)，这是一种无引脚封装，具有更小的寄生电感和更高的散热性能。同时，这种封装非常适合高密度设计需求的应用场合。
最大漏源电压：650V
最大连续漏极电流：48A
最大栅极-源极电压：±20V
导通电阻（典型值）：110mΩ
总栅极电荷（典型值）：93nC
反向恢复时间（典型值）：27ns
工作结温范围：-55℃至+175℃
IPB65R110CFD采用了先进的TRENCHSTOP? IGBT技术，具备以下显著特性：
1. 极低的导通电阻，确保在大电流应用中减少功率损耗。
2. 快速的开关速度，适合高频应用，能显著降低开关损耗。
3. 封装形式为TOLL，提供优越的热性能和电气性能。
4. 高可靠性设计，能够在极端温度条件下稳定运行。
5. 内置ESD保护功能，提高了器件的抗静电能力。
IPB65R1消费电子领域中的高效功率转换应用场景：
1. 开关电源(SMPS)：
包括AC-DC适配器、充电器等。
2. 工业电机控制：
如变频器、伺服驱动器等。
3. 电动汽车(EV)与混合动力汽车(HEV)：
主要用于车载充电器(OBC)、DC-DC转换器等。
4. 太阳能逆变器：
实现高效的直流到交流转换。
5. LED照明驱动：
提供精确的电流控制以保证照明效果。
IPW65R110CFD
