时间：2025/6/19 1:48:44
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IPB50N10S3L-16 是一款 N 沟道功率 MOSFET，属于 Infineon 的 IPW 系列。该器件采用 TOLL 封装，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于高频开关应用场合。其典型应用包括 DC-DC 转换器、同步整流器以及电机驱动等场景。
该型号设计旨在优化效率和热性能，通过减少传导损耗和开关损耗来提升整体系统性能。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：50A
导通电阻（典型值）：2.8mΩ
栅极电荷：79nC
输入电容：2560pF
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装类型：TOLL
IPB50N10S3L-16 具有非常低的导通电阻 (Rds(on))，在高电流密度下仍能保持高效的性能表现。此外，该器件采用了最新的 CoolMOS 技术，确保了较低的开关损耗，并支持高频操作。它的 TOLL 封装方式能够实现更优的散热性能，适合高功率密度的应用场景。
此 MOSFET 还具备出色的抗雪崩能力，可承受短时间内的异常过载情况。同时，它兼容标准的 PCB 安装工艺，易于集成到各种电力电子设备中。
该功率 MOSFET 主要应用于工业和汽车领域，包括但不限于以下方面：
1. 高效 DC-DC 转换器
2. 电信基础设施中的电源模块
3. 电动车窗、座椅调节等车载电机驱动
4. 太阳能微型逆变器
5. 各类同步整流电路
由于其卓越的热管理和电气性能，IPB50N10S3L-16 成为许多高性能电力转换系统的首选元器件。
IPD50N10S3L-16
