您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > IPB180N10S4-02

IPB180N10S4-02 发布时间 时间:2025/7/2 0:02:44 查看 阅读:19

IPB180N10S4-02是一款由Infineon(英飞凌)生产的高压MOSFET,属于OptiMOS?系列。该器件采用TO-252封装,适用于开关电源、电机控制和负载开关等应用领域。
  这款MOSFET以其低导通电阻和高效率著称,适合在高频开关条件下工作。它通过优化的半导体制造工艺,实现了更高的性能和更低的功耗。

参数

最大漏源电压:100V
  连续漏极电流:180A
  导通电阻:3.6mΩ
  栅极电荷:9nC
  开关时间:典型值为7ns(tr)和9ns(tf)
  工作结温范围:-55℃至175℃

特性

IPB180N10S4-02具有超低的导通电阻(Rds(on)),可以显著减少传导损耗,提高系统效率。
  该产品还具备快速开关速度和较低的栅极电荷,从而减少了开关损耗。
  其高雪崩能力使其能够在恶劣条件下稳定运行,增加了系统的可靠性。
  此外,该器件的工作温度范围较宽,能够适应各种环境需求。
  IPB180N10S4-02还具备出色的热性能和电气性能,适合要求高效能和高可靠性的工业应用。

应用

IPB180N10S4-02主要应用于需要高效率和高功率密度的场合。
  典型的应用场景包括但不限于:
  - 开关电源(SMPS)
  - 电机驱动与控制
  - 工业自动化设备中的负载切换
  - LED照明驱动器
  - 太阳能逆变器中的功率转换模块
  由于其低导通电阻和快速开关性能,该MOSFET特别适合高频DC-DC转换器以及电池管理系统(BMS)中的功率级设计。

替代型号

IPW140N10S4, IPP180N10S4L, IRFB3207

IPB180N10S4-02推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价