时间：2025/7/2 0:02:44
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IPB180N10S4-02是一款由Infineon（英飞凌）生产的高压MOSFET，属于OptiMOS?系列。该器件采用TO-252封装，适用于开关电源、电机控制和负载开关等应用领域。
这款MOSFET以其低导通电阻和高效率著称，适合在高频开关条件下工作。它通过优化的半导体制造工艺，实现了更高的性能和更低的功耗。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：180A
导通电阻：3.6mΩ
栅极电荷：9nC
开关时间：典型值为7ns（tr）和9ns（tf）
工作结温范围：-55℃至175℃
IPB180N10S4-02具有超低的导通电阻（Rds(on)），可以显著减少传导损耗，提高系统效率。
该产品还具备快速开关速度和较低的栅极电荷，从而减少了开关损耗。
其高雪崩能力使其能够在恶劣条件下稳定运行，增加了系统的可靠性。
此外，该器件的工作温度范围较宽，能够适应各种环境需求。
IPB180N10S4-02还具备出色的热性能和电气性能，适合要求高效能和高可靠性的工业应用。
IPB180N10S4-02主要应用于需要高效率和高功率密度的场合。
典型的应用场景包括但不限于：
- 开关电源（SMPS）
- 电机驱动与控制
- 工业自动化设备中的负载切换
- LED照明驱动器
- 太阳能逆变器中的功率转换模块
由于其低导通电阻和快速开关性能，该MOSFET特别适合高频DC-DC转换器以及电池管理系统（BMS）中的功率级设计。
IPW140N10S4, IPP180N10S4L, IRFB3207
