IPB180N10S4-02是一款由Infineon(英飞凌)生产的高压MOSFET,属于OptiMOS?系列。该器件采用TO-252封装,适用于开关电源、电机控制和负载开关等应用领域。
这款MOSFET以其低导通电阻和高效率著称,适合在高频开关条件下工作。它通过优化的半导体制造工艺,实现了更高的性能和更低的功耗。
最大漏源电压:100V
连续漏极电流:180A
导通电阻:3.6mΩ
栅极电荷:9nC
开关时间:典型值为7ns(tr)和9ns(tf)
工作结温范围:-55℃至175℃
IPB180N10S4-02具有超低的导通电阻(Rds(on)),可以显著减少传导损耗,提高系统效率。
该产品还具备快速开关速度和较低的栅极电荷,从而减少了开关损耗。
其高雪崩能力使其能够在恶劣条件下稳定运行,增加了系统的可靠性。
此外,该器件的工作温度范围较宽,能够适应各种环境需求。
IPB180N10S4-02还具备出色的热性能和电气性能,适合要求高效能和高可靠性的工业应用。
IPB180N10S4-02主要应用于需要高效率和高功率密度的场合。
典型的应用场景包括但不限于:
- 开关电源(SMPS)
- 电机驱动与控制
- 工业自动化设备中的负载切换
- LED照明驱动器
- 太阳能逆变器中的功率转换模块
由于其低导通电阻和快速开关性能,该MOSFET特别适合高频DC-DC转换器以及电池管理系统(BMS)中的功率级设计。
IPW140N10S4, IPP180N10S4L, IRFB3207