时间：2025/5/8 11:39:24
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IPB180N04S4-H0 是一款由 Infineon（英飞凌）生产的 N 沱道 场效应晶体管（MOSFET）。该器件属于 OptiMOS 系列，专为高效能开关应用而设计。其优化的导通电阻和栅极电荷使其在高频开关应用中表现出色，例如 DC-DC 转换器、电机驱动以及太阳能逆变器等。此 MOSFET 采用 TO-220 封装形式，便于散热和安装。
OptiMOS 技术通过降低导通损耗和开关损耗，进一步提升了效率，并减少了整体系统成本。IPB180N04S4-H0 的高雪崩能力和鲁棒性确保了在恶劣环境下的可靠运行。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：180A
导通电阻（典型值）：1.3mΩ
栅极电荷（典型值）：175nC
开关频率范围：最高支持数百kHz
封装形式：TO-220
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），在高电流条件下显著降低功耗。
2. 优化的栅极电荷 (Qg)，实现高效的开关性能。
3. 内置二极管提供反向保护功能，增强电路可靠性。
4. 高雪崩能量能力，能够在短路或过载情况下提供额外保护。
5. 符合 RoHS 标准，环保且适合各种工业及消费类应用。
6. 工作温度范围宽广，适应多种极端条件下的使用场景。
1. DC-DC 转换器中的功率级开关。
2. 各类电机驱动，包括无刷直流电机（BLDC）控制。
3. 太阳能逆变器中的功率模块组件。
4. 不间断电源（UPS）系统中的功率开关。
5. 电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）中的电池管理系统（BMS）。
6. 高效能电源适配器及充电器设计。
IPW180N04S4-L, IPP180N04S4PFP, IPB180N04S4-H
