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IPB180N03S4L-01 发布时间 时间:2025/5/15 14:33:38 查看 阅读:1

IPB180N03S4L-01 是一款由 Infineon(英飞凌)生产的 N 沱道 场效应晶体管(MOSFET)。该器件属于 OptiMOS 系列,采用 TOLL 封装形式。其主要应用领域包括开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等功率电子设备。
  OptiMOS 技术旨在提供低导通电阻(Rds(on))和高效率,从而减少功率损耗并提升系统性能。IPB180N03S4L-01 的耐压为 30V,并具有出色的开关特性和热性能,使其非常适合高频和高电流应用场景。

参数

最大漏源电压:30V
  最大连续漏极电流:180A
  导通电阻(典型值):0.57mΩ
  栅极电荷(Qg):26nC
  反向恢复电荷(Qrr):95nC
  结温范围:-55℃ 至 +175℃
  封装类型:TOLL

特性

IPB180N03S4L-01 具有以下关键特性:
  1. 极低的导通电阻,有助于降低传导损耗,提升系统效率。
  2. 高雪崩能力,增强器件的耐用性和可靠性。
  3. 快速开关速度,支持高频工作条件。
  4. 热性能优异,能够有效管理散热问题。
  5. 符合 AEC-Q101 标准,适用于汽车级应用。
  6. 采用 TOLL 封装,简化 PCB 设计并优化热传导路径。

应用

IPB180N03S4L-01 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS),如服务器和电信电源。
  2. 电动车辆中的牵引逆变器和车载充电器。
  3. 工业电机驱动和自动化控制。
  4. DC-DC 转换器和升降压转换器。
  5. 太阳能微型逆变器和其他可再生能源系统。
  6. 高效电池管理系统(BMS)中的保护和切换功能。

替代型号

IPB150N03L4-02, IPW180N03S4L-01

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IPB180N03S4L-01参数

  • 数据列表IPB180N03S4L-01
  • 标准包装1,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列OptiMOS™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C180A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C1.05 毫欧 @ 100A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.2V @ 140µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs239nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds17600pF @ 25V
  • 功率 - 最大188W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-263-7,D²Pak(6 引线+接片),TO-263CB
  • 供应商设备封装PG-TO263-7-3
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称IPB180N03S4L01ATMA1SP000555002