时间：2025/7/12 1:05:13
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IPB12CN10NG是一款由Infineon（英飞凌）生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用了TRENCHSTOP?技术，具有低导通电阻和高效率的特点，非常适合用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等应用领域。
这款MOSFET在性能上表现出色，其设计优化了动态损耗和静态损耗之间的平衡，从而提高了整体的系统效率。此外，它还具有出色的热稳定性和可靠性，能够适应各种严苛的工作环境。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：12A
导通电阻：5.3mΩ
栅极电荷：46nC
输入电容：1730pF
总开关能量：280nJ
工作结温范围：-55℃ to 175℃
IPB12CN10NG的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻Rds(on)，有效降低传导损耗。
2. 快速开关速度，有助于减少开关损耗。
3. 高雪崩能力，增强了器件的鲁棒性。
4. 小型化的封装形式（DPAK或TO-263），节省PCB空间。
5. 符合RoHS标准，环保且无铅。
6. 在高频应用中表现优异，适用于多种工业及消费类电子设备。
该MOSFET适用于以下场景：
1. 开关模式电源（SMPS）中的功率级开关。
2. DC-DC转换器的主开关或同步整流元件。
3. 电机驱动电路中的功率开关。
4. 负载切换和保护电路。
5. 太阳能逆变器中的功率管理模块。
6. 各种需要高效功率转换的应用场合。
IPW120N10S5G, IRFZ44N, FDP16N10
