时间：2025/5/19 16:02:23
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IPB110N20N3LF是一款由Infineon（英飞凌）生产的高压功率MOSFET，采用N沟道增强型技术。该器件适用于高电压、大电流的开关应用，具有较低的导通电阻和良好的开关性能。其封装形式为TO-263（D2PAK），适合表面贴装工艺，广泛应用于工业控制、电源管理以及电机驱动等领域。
这款MOSFET的最大额定电压为200V，能够满足多种高压应用场景的需求。同时，其低导通电阻特性有助于减少功率损耗，提高整体系统效率。
最大漏源电压：200V
最大连续漏极电流：110A
导通电阻（典型值）：8.5mΩ
栅极电荷：47nC
输入电容：3100pF
工作温度范围：-55℃ to +175℃
IPB110N20N3LF具备以下主要特性：
1. 高电压处理能力，支持高达200V的工作电压，确保在高压环境下的稳定运行。
2. 极低的导通电阻（Rds(on)），显著降低了传导损耗，提升了系统的效率。
3. 快速开关速度，得益于较小的栅极电荷和优化的内部结构设计。
4. 高雪崩能量承受能力，增强了器件在异常情况下的可靠性。
5. 符合RoHS标准，环保且适合现代制造工艺要求。
6. 优秀的热稳定性，能够在宽广的工作温度范围内保持性能。
该MOSFET广泛应用于需要高压、高效能的场景中，包括但不限于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）和DC-DC转换器中的主开关元件。
2. 工业电机驱动电路，用于精确控制电机速度和方向。
3. 太阳能逆变器中的功率开关组件。
4. 电动车及混合动力汽车的电池管理系统。
5. 各种电磁阀驱动和负载切换应用。
其强大的电流承载能力和快速开关特性使得它非常适合于对效率和可靠性有较高要求的应用场合。
IPW110N20N3_G, IRFB4110TRPBF
