时间：2025/12/23 13:37:15
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IPB110N06LG是一款由Infineon（英飞凌）生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用了先进的TRENCHSTOP技术，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适合用于各种高效能的功率转换应用。其封装形式为TO-252 (DPAK)，能够有效提升散热性能并减少寄生电感对系统的影响。
该MOSFET的主要目标市场包括消费类电子、工业控制以及通信设备等领域的开关电源（SMPS）、DC-DC转换器及电机驱动等应用。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：110A
导通电阻：1.4mΩ
栅极电荷：38nC
总电容：270pF
工作结温范围：-55℃ to 175℃
IPB110N06LG具备以下显著特点：
1. 极低的导通电阻，有助于降低导通损耗，从而提高系统的整体效率。
2. 高速开关能力，可实现高频操作，适应现代电力电子设备的需求。
3. 良好的热稳定性和可靠性，在高温环境下依然保持高性能。
4. 小型化封装设计，有利于节省电路板空间。
5. 具备较强的雪崩能力和抗静电能力（ESD），提高了产品的鲁棒性。
6. 符合RoHS标准，环保且无铅工艺。
该型号广泛应用于需要高效功率转换的场合，典型应用包括但不限于：
1. 开关电源（Switch Mode Power Supply, SMPS），如适配器、充电器等。
2. DC-DC转换器，用于电压调节和变换。
3. 各类电机驱动，例如风扇、泵浦以及其他小型电动机的控制。
4. 电池管理系统（Battery Management System, BMS）中的充放电保护。
5. 工业自动化设备中的负载切换与控制。
6. 汽车电子领域中的辅助功能模块，如LED驱动、雨刷控制等。
IPW110N06L,
IPP110N06L,
IPA110N06L
